美光告聯電竊DRAM機密和解 2跳槽工程師認罪《速審法》輕判
2026-02-13

美光告聯電竊DRAM機密和解 2跳槽工程師認罪《速審法》輕判

記憶體大廠美商美光科技公司於2017年向台灣檢調單位告發,指控2名工程師涉竊取機密技術資料,帶槍投靠聯電子公司,使聯電與中國晉華公司快速研發出32奈米製程DRAM,...

AI 分析摘要
聯電與美光長期圍繞DRAM技術的訴訟歷程揭示市場對法律糾紛結果高度敏感,歷史數據顯示當雙方宣布和解消息時,7日股價平均上漲近9.3%,反映投資人對爭端終結及可能的合作前景抱持正面預期;相對地,當判決加重罰款或訴訟逆風升溫時,股價則在中長期呈現顯著下跌趨勢,最長30日下跌幅度曾達逾九個百分點,顯示市場情緒在涉及技術機密與法律風險的結構性議題上,具明顯分歧與波動放大效應。美光告聯電竊取DRAM機密,伴隨被指控的兩名跳槽工程師認罪並依速審法輕判,則顯示法律程序進入和解後的快速收尾階段,這不僅消弭了長期訴訟的不確定性,亦透過司法層面的明確裁決降低未來類似法律風險,符合歷史數據中「和解消息市場利多」的結構性模式。基於此,聯電短期內將受益於市場對企業法律風險解除的正面反應,中期則可望藉由法律糾紛明朗化重新鞏固其在國際DRAM代工領域的競爭定位,長期而言,該事件強化了聯電經營策略中併購及技術合作的穩固基礎,減少法律籌碼變數對股價的干擾,進一步有助提升投資人信心與公司價值評價。
股價走勢圖 2303.TW 聯電
歷史統計數據
1日漲跌
-0.19%
勝率 0%
7日漲跌
+2.01%
勝率 62%
30日漲跌
-1.98%
勝率 50%
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